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竹内研究室の日記 RSSフィード Twitter

2013-05-11

一見、バカに見えることの中にこそ、チャンスがある。あなたの会社は、バカなことをやっていますか?

最近、忙しすぎてブログが書けなかったので、今日2本目のエントリ。

エンチャントムーンという手書きタブレットを開発した、UEIの清水亮さんのブログが面白い。

なぜ、ベンチャー企業だけが「新しいコンピュータ」をつくることができるのか

ソフトを手掛けるベンチャーが、なぜ、ハードを開発したか。

最近は、日本の携帯端末のハードは苦戦が続いていて、ハードは作りたくても、なかなか事業として行えない。

ざっくり要約すると、大企業でも新しいハードを作りたい人はたくさんいるが、社内で認めてもらうのは難しい。

タブレットというハードを開発するには、「情熱と資金、人脈、それとなにより大事なのは社長がバカだってこと。そういう条件が全部揃う必要がある」とのことです。

この、「バカ」がいいですねえ。

まあ、事業がうまくいかなければ、「やっぱりバカ」と言われるのでしょうが。

エンチャントムーンが事業としてどうなるか、私にはわかりませんが、「一見、バカに見える先に、チャンスがある」というのは真実だと思います。

例えば、「ハードは儲からない」といった、「常識」には、嘘があるのではないか、付け込む隙があるのではないか。

フラッシュメモリも、開発の当初は「バカ」と言われました。

書き換えにトンネル現象を採用したため、高い電界をトランジスタに印加する必要がある。

電圧も、通常のLSIの2-3Vよりもはるかに高い、20Vが必要となる。

「トランジスタのサイズを縮小するには、電圧を低くする必要がある」というのが、教科書に書いてある「常識」です。

フラッシュメモリは微細化により大容量のメモリを目指していたのに、20Vという高い電圧を使うとは、「バカ」だと言われたものです。

実際に、私が東芝に入社し、新入社員としてフラッシュメモリの開発チームに参加したときには、他の製品を開発している先輩から、

「可哀そうに。君が配属されたチームはバカだよ。」

と言われました。

ところが、この「常識」には嘘がある。

半導体の専門的な話になりますが、フラッシュメモリは、ゲート電極とシリコン基板の間には、20Vという高電圧が印加される。

ところが、トランジスタのサイズを縮小するために最も重要な、ソースとドレインの間には、1Vよりも低い電圧しか使わない。

つまり、ソースとドレインの間の電圧だけに注目すると、他のLSIよりも、むしろ、低い電圧で動作しているのです。

高い電圧を必要としているので、一見、微細化ができなさそうに見えても、実際は、他のLSIよりも微細化に向いているのです。

その結果、現在のフラッシュメモリは20ナノメートル以下に縮小され、世界で最も、微細化が進んだLSIとなっています。

フラッシュメモリは一つの例に過ぎず、同じような、「常識を疑い」、「一見、バカなこと」をやって成功した企業はたくさんあるでしょう。

さて、あなたの会社は、バカなことをやっていますか?

そういえば、先に「フラッシュメモリはバカ」と言った先輩は、担当する事業が失敗して、いまでは、フラッシュメモリ関連の仕事をしているようです。

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