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Electronics Pick-Up by Akira Fukuda このページをアンテナに追加 RSSフィード Twitter

2016-05-25

会場のマリオットホテル

[]IMW(国際メモリワークショップ)レポート「長寿命の抵抗変化メモリ」

フランスのパリで開催されたイベント「IMW(国際メモリワークショップ)」からレポート記事を書いております。PCWatch誌に掲載されました。


「【IMW 2016】imec、1兆サイクルの書き換えが可能なReRAM技術を開発」

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20160525_758976.html


書き換えサイクル寿命が1兆サイクルと長いことと、100倍を超える読み出しウインドウ(抵抗比)を両立させたことがポイントです。


記憶素子にはガドリニウム酸化物という、これまでの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究論文ではあまり見られなかった材料を使っています。細かい組成は秘密のようで、詳しくは書かれていません。

2016-05-24

[]コラム「ストレージ通信」を更新。「磁気トンネル接合(MTJ)によるデータ読み出しの原理」

EETimes Japan誌に連載中のコラム「ストレージ通信」を更新しました。

STT-MRAM技術を解説するシリーズの第7回です。


「MRAMの記憶素子「磁気トンネル接合」」

http://eetimes.jp/ee/articles/1605/24/news021.html


磁気メモリ(MRAM)の記憶素子である「磁気トンネル接合(MTJ)」を解説しています。MTJを使って2値のデータを記憶し、読み出す原理を説明しております。


この回で、ついにエネルギーバンド図が登場します。半導体の世界では起こらない「電子スピンによるエネルギーバンドの分裂」が、強磁性体の世界ではごく普通なのです。いよいよ「スピントロニクス」の世界に入ります。


補足:電子が原因の磁気モーメントには電子軌道による磁気モーメントと、電子スピン(角運動量)による磁気モーメントがあると説明しました。強磁性体を含む金属では自由電子が大量に存在するので、MRAMでは電子スピンによる磁気モーメントだけを考えます。講演ではこういった基本的な事柄が省かれています。

2016-05-21

[]深夜に帰宅してブログを更新したら、とんでもないことになっていた件

海外出張から戻りました。羽田着が夜の11時近く。自宅に付いたら日付が変わっておりました。


それからシャワーを浴びて、着替えて、パソコンを立ち上げて。メールをチェックして。そしてブログを更新しました。


ところが。次の日になってブログを見たら、最新のエントリーが古いエントリーとつながっているというとても恥ずかしい状況に。慌てて修正して、これで終わったと思っておりました。


さらにところが。その次の日になって別の日付のエントリーでも複数のエントリーがつながっているというトンデモ状況を発見。いったい何をしているのだ俺は。


そんなわけで最近このブログを閲覧して「こいつおかしいのでは」と思った方、すみません。すべてクスリのせいです。たぶん。


得た教訓:「クスリ(睡眠導入剤)」を飲んだあとはリードオンリーで。書き込みはダメ、ゼッタイ。

2016-05-18

[][]国際メモリワークショップ現地出張報告そのいち

5月15日から18日までフランスのパリで開催されている国際学会

「国際メモリワークショップ(IMW2016)に参加しました。

レポート記事の初号をPCWatch様に掲載していただいております。


「セミコン業界最前線:【IMW 2016】袋小路に追い込まれつつある次世代不揮発性メモリ」

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20160518_757910.html


次世代不揮発性メモリに対する期待の時代が終わり、厳しい現実の目にさらされる時代が到来してきたと、明確に感じました。