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Electronics Pick-Up by Akira Fukuda このページをアンテナに追加 RSSフィード Twitter

2017-10-22

affiliate_with2017-10-22

[][][]技術書同人イベント「技術書典3」にサークル参加します(このお知らせはしばらく、トップに置きます)


10月22日に秋葉原で開催予定の技術書オンリーイベント技術書典3」にサークル参加します。

技術書典3」の公式サイトです

https://techbookfest.org/event/tbf03


サークル名「こじくれワークス」 ペンネーム「ふくふく亭」 レイアウト位置「き09」

https://techbookfest.org/event/tbf03/circle/5710396451192832


まったく初めてのサークル参加なので、いろいろ模索中です。

とりあえず、半導体メモリの本を出す予定です。

テーマの候補は「NANDフラッシュメモリ」、「次世代不揮発性メモリ」、など。

オフセット本を出す勇気がないので、たぶんコピー本です。まさに「薄い本」(爆)。

万が一、複数の薄い本が完成した場合は、PDF化したセット本をCD-ROMあるいはUSBメモリで頒布します(万が一ですので念のため)。

価格はいずれも未定です。


テーマや内容などにご希望がありましたら、コメント欄にご記入願います(ご要望に沿えるとは限りません。あらかじめご了承くださいませ)。

2017-09-15

[]コラム「ストレージ通信」を更新。新強誘電体材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体不揮発性トランジスタの前編です

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


強誘電体メモリの再発見(20):二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)」

http://eetimes.jp/ee/articles/1709/15/news030.html


強誘電体材料「二酸化ハフニウム」をゲート絶縁膜に導入した、強誘電体不揮発性トランジスタの研究状況を解説します。その前編です。


強誘電体材料「二酸化ハフニウム」が2011年に国際学会で公表されるよりもかなり以前に、二酸化ハフニウム強誘電体の研究で先行していたドイツFraunhofer Instituteを中心とする研究グループが、強誘電体不揮発性トランジスタを試作していたという事実を報告しております。2008年にQimondaの協力を得て製造したトランジスタです。当然ながら、未公表でした。


国際メモリワークショップ2017年5月開催)のショートコースで、この事実は初めて明らかにされたようです。言い換えると2008年の段階(公表の3年前の段階)で、Fraunhofer Instituteを中心とするグループの研究はかなりのところにまで進んでいた、ということになります。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

2017-09-12

[]コラム「ストレージ通信」を更新。「日本の産総研が従来型強誘電体トランジスタの研究を牽引」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


強誘電体メモリの再発見(19):従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)」

http://eetimes.jp/ee/articles/1709/12/news023.html

ペロブスカイト系強誘電体を使ったFeFETに関する研究開発の進展を解説しております。研究を牽引したのは、日本の産業技術総合研究所産総研)です。


2008年にはFeFETメモリで10の8乗回(1億回)のデータ書き換えを確認しました。

2011年には64kbitの不揮発性メモリをFeFETで試作しています。


詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。

2017-09-11

[][]コラム「セミコン業界最前線」を更新しました。DDR5 DRAMモジュール(DIMM)の規格策定動向を解説

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。


「次世代のサーバー/ハイエンドPC向けDRAMモジュール「DDR5 DIMM」」

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1080032.html


次世代DRAMのDDR5 DRAMを載せるモジュール「DDR5 DRAM」の技術仕様の策定動向を解説しております。


DDR4 DIMMからの大きな変化は、電圧レギュレータIC(VR)の搭載です。DDR4ではマザーボードでDIMMコネクタ近傍にVRを載せていました。しかしDDR5世代ではデータ転送速度の向上に伴い、電源電圧の変動許容幅が狭くなります。もはやマザーボードからの電源供給では、電源電圧を均一には維持できなくなると考えられております。そこでDIMMボードにVRを載せていきます。DIMMのVR搭載は、DIMMコネクタのピン数を減らせるというメリットもあります。


またDDR6以降を睨んだ動きに、差動伝送方式のDIMMの規格策定があります。そう、あのFB DIMMの復活です。DDR2世代で登場したFB DIMMが、形を変えて復活します。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。