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Electronics Pick-Up by Akira Fukuda このページをアンテナに追加 RSSフィード Twitter

2016-12-05

[]コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのスイッチング機構」

EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


SanDiskが語る、抵抗変化メモリのスイッチングモデル」

http://eetimes.jp/ee/articles/1612/05/news027.html


抵抗変化メモリ(ReRAM)の開発動向を解説するシリーズの第8回です。講演スライドの切れ目の都合で、今回はショートバージョンとなっております。どうかご容赦ください。


内容は過去に学会発表された主なスイッチングモデルの一覧です。大半が酸素欠陥や酸素イオンなどの動き(酸化還元反応)を取り入れています。ReRAMのほとんどが記憶素子に金属酸化膜を採用しているので、何らかの形で酸素が関わるのは当然と言えば当然なのですが。

2016-12-02

[][]2016年11月の当ブログに関するアクセスログ

平素はご訪問をありがとうございます。

管理人です。

2016年11月の本ブログに対するアクセスログがまとまりました。

11月のPV数 5351 (参考:10月は 5818)

11月のユニークユーザー数 4868 (参考:10月は 5332)

ほとんど業務メモと化しているせいか、前月に続いて減少気味です。

まずい(汗)。


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2016-11-29

[]コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム」


EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


「抵抗変化メモリの開発動向(7):SanDiskが語る、抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム」

http://eetimes.jp/ee/articles/1611/29/news031.html


抵抗変化メモリの記憶素子が採用している電気伝導のメカニズムを一覧表にまとめて紹介しています。一覧表の概要と、各メカニズムに関する説明を補足しました。

2016-11-26

[][]映画「君の名は」を見た人オンリーで大推薦!小説「君の名は。Another Side」で映画の世界観は大きく拡張する!!


君の名は。」ファンには義務、とまで言える世界観補完拡張小説です。





4つの短編小説で構成されております。

第1部 瀧が三葉になったときの話

第2部 テッシーの話

第3部 四葉の話

第4部 宮水俊樹(三葉の父)と宮水二葉(三葉の母)の話


各部の内容が素晴らしい。そして順番が素晴らしい。

第1部は最初にしかおけません。

第4部は最後にしかおけません。


特に第4部は映画と直接関係する話であり、必読です。

映画では隠されていたピースが明かされます。感動です。


それでは、書店またはアマゾンにGo!