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Electronics Pick-Up by Akira Fukuda このページをアンテナに追加 RSSフィード Twitter

2016-09-30

[]コラム「デバイス通信」を更新。7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)

EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。


「デバイス通信(91):「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)」

http://eetimes.jp/ee/articles/1609/30/news045.html


シリコンファウンダリ大手でもあるSamsungは、提供するシリコン量産技術を効率良く選択しなければなりません。その辺りの考え方が興味深いです。

2016-09-27

[]コラム「デバイス通信」を更新。7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)


EETimes Japanで連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。


「デバイス通信(90):「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)」

http://eetimes.jp/ee/articles/1609/27/news037.html


7nm世代以降のリソグラフィ技術をimecが展望しています。Si FETが限界に達し、Si以外の半導体材料によるFETが限界に達し、MOS FET以外の原理によるトランジスタ(能動デバイス)が限界に達するまでにはまだしばらくかかりそうです。

2016-09-26

[][]コラム「セミコン業界最前線」を更新。富士通が米社と共同開発する次世代メモリの後編です

PCWatch誌に掲載していただいておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。


富士通が米社と共同開発する次世代メモリの恐るべき正体(後編)」

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1021391.html


米国の技術開発ベンチャーが開発してきたカーボンナノチューブメモリ「NRAM」。中央大学の竹内研究室と組むことでメモリセル特性がさらに良くなりました。書き換え可能回数は1兆回に達しており、しかも劣化がまだ見られない。書き換えに必要なエネルギーが下がり、さらに低消費電力に。学会発表を見る限りは、すごい不揮発性メモリです。

2016-09-25

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この2016年9月号以前はすべて99円のようです。


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