もう数少ない国産半導体メーカーとなってしまった東芝がどのくらいNANDの競争力あるのか調べてみた
- IntelとMicron、1ダイあたり48GBを実現する3D NAND
〜2.5インチで10TBのSSDが実現可能に
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20150327_694897.html - サムスン超え、東芝世界一へ 3次元メモリー「48層」年内量産
http://news.livedoor.com/article/detail/9927588/ - 東芝がついに3次元NANDをサンプル出荷、年内量産
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20150326/411179/ - Measuring Toshiba's 15nm 128Gbit MLC NAND
http://www.anandtech.com/show/8415/measuring-toshibas-15nm-128gbit-mlc-nand-die-size - 東芝の半導体事業トップ「2020年までは3次元NAND、その後は3次元ReRAM」
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20140930/379541/ - 32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20130221_588699.html - ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20141222_681373.html - サムスンの3次元NAND、3ビット/セルの128G品が出荷間近
http://eetimes.jp/ee/articles/1408/11/news056.html
10TBのSSD、値段は・・・50万くらいしそうw チャージトラップじゃなくてフローティングゲートなのね。 枯れた技術を使うあたりは渋いっすなぁ この容量は魅力的だけどIMFT(Intel&Micron)は100mm台後半〜200mm台で作ってくるからコスパは悪いのよね。
128GBitだけど100mm切ってくるようなら競争力あるかな。 サムスン不良率高いってまだ解決してなかったのかー。てこずってるなー。 東芝もSSD向けから始めるんだな。コスパ悪いからだろうな これなら15nmのNANDの方が競争力ありそうな気もする。
どうも年内に出荷開始の様子。
Die SizeとBit Density載ってる。 密度だけみるとsamsungだけどおそらく歩留り悪いので東芝の方がコスパいいはず。 IMFT(Intel&Micron)はSSD向けだからダイサイズでかいのよね。iPhoneには乗らない。
今3D NANDって50nm〜60nmくらいと言われているから10nmになったら25倍くらいやね。 今1TBが4.5万だから5年後には2000円になるってことか。すげぇな。 少し前までNANDフラッシュメモリは10nm台後半が限界と言われていました。 それは構造上、隣の電荷と干渉しやすいからです。20nm台でもすでに信頼性が低下していました。 3Dになることで干渉しやすさは減り、さらに古いプロセスを使えるので問題はないのですが、微細化が進めばNANDは再び限界を迎えます。
ReRAMはここまで来てます。あと5年くらいはかかりそう。
東芝&SandiskはNANDの置き換えを、ソニー&MicronはDRAMの置き換えを狙った開発を行っています。 用途が違うので容量を比べるのはナンセンス。 最近のメモリ事情としては以下のように固まってきたようですね PRAM = 消費電流の大きさから、大容量メモリの有力候補からは脱落 MRAM = キャッシュ用途として有望 ReRAM = DRAM,NANDのギャップを埋める製品として有望
「256Gビット版は2015年に発表する見込みで、最終的には100層構造のテラビットクラスに到達するだろう」 サムスンも256Gビット。
- IntelとMicron、1ダイあたり48GBを実現する3D NAND
結論
まぁ結局ダイサイズと歩留りがわからないので何とも言えないな(・ω・)
ただ3D NANDは歩留りが悪い状況が続きそうなので、1年くらいはSSD向けに固定されそう。
iPhone用のフラッシュメモリが安くなることは考えにくい。
少ない戦力で微細化と3D化を進める東芝を応援したいところです。
相手が悪いよね、サムスンとIntelってw
世界の半導体シェアの1位と2位じゃん。そら強いわw