EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。(すみません!! 寝ぼけて書いていたようで旧テキストが支離滅裂でした。全面改定しております)新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第20回となります。 前回から、ポストシリコン材料のトランジスタ技術に突入しました。 「サブnm時代に向けた2次元材料のトランジスタ技術」です。eetimes.itmedia.co.jp前回で不足していた、2次元材料に関する説明を追加しました。 試作したトランジスタ(バックゲート型)の断面観察像と、 シミュレーションでフォークシート構造に応用したときの特性を述…