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Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3ヶ月前

フィックスターズ様にSSDコントローラの連載記事第4回（多値記憶）を掲載していただきました

フィックスターズ様から依頼を受けております「SSDコントローラの解説シリーズ」、その第4回が掲載されました。 テーマは多値記憶技術を備えたNANDフラッシュメモリのコントロールです www.fixstars.com 多値記憶は1個のメモリセルに2ビット以上のデータを記憶します。記憶密度の上昇配置ぢるしく 多値記憶でも4bit/セルのQLC方式になると、読み書き性能や書き換え寿命などがかなり低下します。詳しは記事をおよみくださいませ。

#SSD#コントローラ#フラッシュストレージ#多値記憶

関連ブログ

Electronics Pick-up by Akira Fukuda•4ヶ月前

コラム「ストレージ通信」を更新しました「FMSの「生涯功績賞」を3D NANDフラッシュ開発で東芝の5人が受賞」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 半導体メモリとストレージに関する講演会兼展示会「FMS」の生涯功績賞（ライフタイムアチーブメントアワード）に関するまとめレポートです。 eetimes.itmedia.co.jp 今年は3D NANDフラッシュ技術「BiCS-FLASH」を開発した東芝（当時）の5名が受賞しました。 筆者は以前にBiCSの開発者は誰なのかを東芝の関係者に学会でたずねたことがあります。 特定の個人ではないとの回答を得ていたのですが、その通りのようです。 フラッシュメモリとは違い、舛岡富士雄氏のようなカリスマはいませんでした。あ…

#フラッシュメモリ#FMS#多値記憶#東芝#NEC#キオクシア
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•2年前

コラム「ストレージ通信」を更新「多値記憶（マルチレベル）時代の始まり（1997年～2001年）（後編）」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 シリーズ「フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表」の第23回です。 eetimes.itmedia.co.jp 前回（前編）に続き、フラッシュメモリが多値記憶技術（マルチレベルセル）を導入した時期の概要を説明しています。 前編では多値記憶の概要とNORフラッシュメモリがテーマでした。 後編は東芝とサンディスクの全面提携と、NANDフラッシュメモリの多値化製品を扱っております。お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

#フラッシュメモリ#多値記憶#マルチレベルセル#NANDフラッシュメモリ
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•2年前

コラム「ストレージ通信」を更新「多値記憶（マルチレベル）時代の始まり（1997年～2001年）（前編）」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 シリーズ「フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表」の第22回です。eetimes.itmedia.co.jp久しぶりにフラッシュメモリの技術開発がテーマとなっております。年代は1997年から2001年です。 記憶容量拡大の裏技（切り札？）である、多値記憶技術の導入が始まりました。前後編で導入時期を紹介しております。今回は前編で、NORフラッシュメモリの多値化がテーマです。 当然といいますか、最初は2ビット（4値）を1個のメモリセルに記憶する2ビット/セル技術となっております。 これでも当初は相当に難しい…

#フラッシュメモリ#多値記憶#マルチレベルセル#インテル
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「セミコン業界最前線」を久々に更新。「キオクシアがNANDフラッシュで6ビット/セルの超多値記憶を確認」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。ここのところ、新しいコラムを開発しておりまして。コラム開発の膨大な時間がかかってしまい、「セミコン業界・・・」の記事に取りかかれずにおりました。pc.watch.impress.co.jp3D NANDフラッシュメモリの高密度化を支える重要な技術「多値記憶」の新たなブレークスルーです。5bit/セルが製品化していない段階であるにもかかわらず、キオクシアが6bit/セルの動作に成功しました。といってもこれには仕掛けがあるのですが。詳しくは記事をお読みいただけると、うれしいです。

#3D NAND#多値記憶#極低温#フラッシュメモリ
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•4ヶ月前

フィックスターズ様から受託したSSD解説連載、第3回「複雑化するSSDがコントローラの負担を増やす」

先端技術ソリューションのサービス企業であるフィックスターズ様から、SSDコントローラ（フラッシュストレージのコントローラ）に関するシリーズ解説を受託しています。その第3回が掲載されました。 www.fixstars.com 全体のトップページはこちらです。 www.fixstars.com 第3回は、SSD独自の問題や技術などを解説しております。 HDDとはずいぶん違い、記憶媒体がNANDフラッシュメモリであることがいろいろな複雑さを生んでいます。 その分、コントローラの仕事が増えている。きっつー。第3回では誤り訂正（HDDも誤り訂正は使っています）と多値記憶（NANDフラッシュメモリの最大の…

Electronics Pick-up by Akira Fukuda•1年前

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。米国サンフランシスコで昨年12月に開催された国際電子デバイス会議ことIEDMで 半導体メモリ大手のSamsung Electronicsが3D NANDフラッシュの高層化（ワード線の積層数を増やすこと）を招待講演で展望しました。 一言でまとめると「2030年にV13世代（第13世代）で1,000層を達成する」ための課題と対策です。 pc.watch.impress.co.jp実際には高層化を含めた記憶密度の向上技術を1000層時代に向けて述べています。プレーナー時代の横方向スケーリングから3D時代の垂直方向スケーリ…