EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第18回となります。 eetimes.itmedia.co.jp 前編はこちらです。次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（前編）：福田昭のデバイス通信（314） imecが語る3nm以降のCMOS技術（17） - EE Times Japan シーケンシャルCFETではボトム側とトップ側で異なる材料をチャンネルに使える、ということの意味と試作例を説明しています。講演者のimecではなく、Intelの研究開発成果です。…
