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Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（後編）」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第18回となります。 eetimes.itmedia.co.jp 前編はこちらです。次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（前編）：福田昭のデバイス通信（314） imecが語る3nm以降のCMOS技術（17） - EE Times Japan シーケンシャルCFETではボトム側とトップ側で異なる材料をチャンネルに使える、ということの意味と試作例を説明しています。講演者のimecではなく、Intelの研究開発成果です。…

#半導体製造技術#CFET#3次元IC#シーケンシャル3D IC

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Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（前編）」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第17回となります。eetimes.itmedia.co.jp シーケンシャルCFETはウエハーの貼り合わせで製造します。 このことは、nチャンネルとpチャンネルで別の半導体材料を使えるということを意味します。 そこでpチャンネルのキャリア（正孔）が高速で動くゲルマニウム（Ge）、 nチャンネルのキャリア（伝導電子）が高速で動く窒化ガリウム（GaN）などがCFETの候補となります。詳しくは記事をご参照くださいませ。 3D IC Integration an…

#半導体製造技術#ゲルマニウム#窒化ガリウム#3次元集積化#CFET
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の課題」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第16回となります。eetimes.itmedia.co.jp前回に続いてシーケンシャルCFETの製造プロセスを扱っています。 今回はトップ側の製造プロセスにおける温度条件（最高で550℃が望ましい）がテーマです。トップ側のプロセス温度が高いと、ボトム側のデバイスが劣化してしまう。これを防ぐためにプロセス温度を下げなければならない。 詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。光励起プロセスの基礎―プロセスの低温・無損傷化を実現作者:清, 高橋,好正, …

#半導体製造技術#CFET#低温プロセス#コンプリメンタリFET
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第15回となります。 eetimes.itmedia.co.jp コンプリメンタリFET（CFET）の製造プロセスの続きです。 シーケンシャルCFETの課題（ウエハー貼り合わせ界面における欠陥の発生）を扱っております。お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

#半導体製造技術#次世代トランジスタ#CFET#シーケンシャル3D IC
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第14回となります。 eetimes.itmedia.co.jp CFETの製造プロセスを扱っております。最初はモノリシック構造です。 お手すきのときにでも、記事をおよみいただけるとうれしいです。

#半導体製造技術#CFET#次世代トランジスタ#CMOS
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第13回となります。 eetimes.itmedia.co.jp 次々世代のトランジスタ技術「CFET」の構造をまず説明しています。それから、作り方（製造方法）として、モノリシックとシーケンシャルの2通りの方法があることと、それぞれの概要を述べております。詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

#CFET#半導体製造技術#微細化#トランジスタ技術
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「デバイス通信」を更新。「コンプリメンタリFET（CFET）でCMOS基本セルの高さを半分に減らす」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第12回となります。eetimes.itmedia.co.jp 前回に続き、CFETの講演部分です。2nm世代以降の候補となります。いやもっと先かも。考え方はわりと単純で、pMOSの上にnMOSを重ねてCMOSを作ればシリコン面積を省ける、というものです。 もちろん構造は単純ではありません。かなり複雑です。 とりあえずはCMOSの基本セルを約半分にできるという、メリットを説明しております。 お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。

#CFET#半導体製造技術#微細加工#CMOS
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•3年前

コラム「デバイス通信」を更新。「FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第11回となります。eetimes.itmedia.co.jp ついに3次元CMOSロジックの登場となりました。実用化は早くても2nm世代以降。 もちろん使われない可能性もあります。重要なのは、こういった将来の要素技術が「ある」ことです。詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

#半導体製造技術#微細化#3次元IC#CFET
マイケル・ハドソン研究会•3ヶ月前

日本で半導体製造の強豪が復活

KOKUSAI ELECTRICはリストラを終え、AIチップの需要が急増する中、世界市場シェアを急速に伸ばしている。 Scott Foster Asia Times September 21, 2024AIブームの時代を象徴するように、日本のKokusai Electricは35年ぶりに国内に新工場を建設している。Kokusai Electricは、シリコンウェーハ上に集積回路（IC）を製造するためのナノスケールの薄膜を形成するために使用される化学気相成長法（CVD）、原子層堆積法（ALD）、その他の熱処理およびプラズマ処理装置の市場で、アプライドマテリアルズや東京エレクトロンと競合している。…

狐の王国•3ヶ月前

生成AIの未来はそんなに明るいものではない

ナウル政府観光局X、「未開の部族」「蛮族」呼ばわりに「法的措置」検討 生成AIめぐり批判受けるという記事。Twitter に搭載された生成AIを用いてナウルを描いてもらったのをツイートに乗せたら、いわゆる反AIの人々から猛烈な攻撃にあったようだ。いくらなんでもかわいそうではないか。 とはいえ生成AIへの忌避感や嫌悪感についてまったく理解できないとまでは言わない。生成AIそのものが悪いわけではないのだが、無法者たちによる現役絵師の絵を用いたファインチューニングにより似せた絵を描くモデルが割とゴロゴロと転がってたりするからだ。 いま絵描きたちは Pixiv という発表の場を得るのみならず、Skeb…

Promote my favorite artists•9ヶ月前

2024年3月15日

首振りDollsさん「本日はリミスタでのオンラインサイン会ご視聴頂きありがとうございました！ 今回ご購入頂きましたCDは届くまでもう少々お待ちください！ 『ジェットボーイジェットガール』沢山聴いてくれよ！ https://t.co/x9kCbpNnNn」https://twitter.com/KubihuriDolls/status/1767879111354274012 INORAN_OFFICIALさん「いよいよ明日🔥🔥🔥🥂」https://twitter.com/INORAN_OFFICIAL/status/1767879258570174692 unknown:RE:officialさ…