IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は,MOSFET を入力段とし,バイポーラトランジスタを出力段とするダーリントン接続の構造を同一の半導体基板上に構成したパワートランジスタであり,入力信号によってオン・オフの二つの状態に制御できるバルブデバイス(valve device)*1である。 TOSHIBA(東芝) シリコン Nチャネル IGBT トランジスタ 1,200V 40A GT40QR21,F(O 東芝東芝東芝(TOSHIBA) Amazon ゲートに正の電圧を加えるとオン状態となり,ゲートに零か負の電圧がかかると…