今回は標準的な MOSFET のトランジスタ 1 個を製造するためのウェハプロセスをまとめる.基板からトランジスタにするまでは,ゲート形成,ソース・ドレイン形成,コンタクト形成,配線形成の 4 段行程があるが,どの工程でも同じような処理が基盤に施される. 【ウェハプロセスの処理とその役割】 ゲート形成ではほかの工程と異なり,最初に Si 基板表面を酸化させ絶縁膜 SiO2 を作る.これには様々な役割があり,ドーピングマスク,界面準位密度の安定,絶縁を一つでこなすこととなる. その後 CVD(Chemical Vapor Dposition),レジスト塗布を行う.CVD は熱 CVD,プラズマ …