この記事の動機(背景など) CR分布定数理論 ゲート内部抵抗の集中定数近似 両端電位固定時の内部抵抗 この記事の動機(背景など) MOSのゲート電極はPoly Siで形成されていることが多い。Poly Siの抵抗率はCuやAlなどの金属より大きいため、MOSのゲート駆動はゲートPoly電極そのものの抵抗の影響を受ける。チップ内のAl配線の抵抗成分と合わせて、MOS内部のゲート抵抗やゲート内部抵抗などと呼ばれる。 以下の図にゲート内部抵抗のイメージを示す。MOSの断面構造と奥行を表現しているが、奥行方向にゲートはPolyで配線されており、給電点から離れれば離れるほどPolyの抵抗およびゲート酸化…