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微細化
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微細化

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Electronics Pick-up by Akira Fukuda•4年前

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第13回となります。 eetimes.itmedia.co.jp 次々世代のトランジスタ技術「CFET」の構造をまず説明しています。それから、作り方（製造方法）として、モノリシックとシーケンシャルの2通りの方法があることと、それぞれの概要を述べております。詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

#CFET#半導体製造技術#微細化#トランジスタ技術

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144ブックマークいま起きているムーアの法則の限界は、微細化よりも電力と経済性の限界～ポスト・ムーア法則時代のコンピューティング（前編）。QCon Tokyo 2016www.publickey1.jp
67ブックマーク【福田昭のセミコン業界最前線】 ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化pc.watch.impress.co.jp
59ブックマーク【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 微細化の限界に近づくDRAMの供給量が減り始めるpc.watch.impress.co.jp
54ブックマーク【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 Intel「第8世代Core」に見る、微細化準備が整っても、製品を移行させない/させたくない理由pc.watch.impress.co.jp
40ブックマーク中国には「絶対不可能」のはずが…ファーウェイ最新スマホに搭載された“超微細化”半導体チップを実現した「謎の技術」の正体（吉沢 健一） @moneygendaigendai.media
39ブックマーク【笠原一輝のユビキタス情報局】 Intel、2018年に14nmの新CPU“Coffee Lake”を投入 ～10nmに微細化されるCannon Lakeと並列投入pc.watch.impress.co.jp
34ブックマーク半導体最新事情　｢微細化｣｢自給率低下｣… “分解のプロ”が語る変化 - クローズアップ現代www.nhk.jp
32ブックマークFusion-io、微細化したNANDチップを採用しつつ性能を向上させた新フラッシュストレージ「ioMemory PX600/SX300」販売開始。エンタープライズ向けとハイパースケール向けwww.publickey1.jp
31ブックマーク【10GBASE-T、ついに普及？】（第4回）大きすぎた消費電力、進む微細化で徐々に実用に【ネット新技術】internet.watch.impress.co.jp

関連ブログ

Electronics Pick-up by Akira Fukuda•4年前

コラム「デバイス通信」を更新。「フォークシート構造のトランジスタが次世代以降の有力候補である理由」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第8回となります。eetimes.itmedia.co.jp フォークシート構造の続きです。フォークシート構造は、CMOSロジックを構成するpチャンネルとnチャンネルの両トランジスタ（トランジスタ対）の距離（PN）を詰められるのが特長です。5nm以降のCMOSロジック技術ノードでは、PNを短くできることがなぜ重要なのか。これが今回の内容です。 詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

#半導体製造技術#フォークシート#CMOSロジック#微細化
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•4年前

コラム「デバイス通信」を更新。「ナノシート構造を超える高い密度を実現するフォークシート構造」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第7回となります。 eetimes.itmedia.co.jp FinFET（フィンフェット）の次はナノワイヤ構造、あるいはナノシート構造のチャンネルを備えたトランジスタが候補でした。最近ではナノワイヤよりもナノシートが有利だとの意見が主流となっています。さらにimecは、ナノシート構造でも微細化には課題があるとしてフォークシート構造を提案して試作してきました。詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。半導体プロセスの基礎からわかりやすく丁寧に 半導体…

#半導体製造技術#微細化#FinFET#ナノシート#フォークシート
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•4年前

コラム「デバイス通信」を更新。「フィンFET（FinFET）の次に来るトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第6回となります。eetimes.itmedia.co.jp フィンフェット（FinFET）の微細化は限界に来ると言われ続けてCMOSロジックは5nm世代もFinFETで量産開始。 3nm以降の世代に向け、まずはナノシート構造が候補となります。 詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

#半導体製造技術#微細化#FinFET#ナノシート
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•4年前

コラム「デバイス通信」を更新。「電源/接地線の埋め込みで回路ブロックの電圧降下を半分以下に低減」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第3回となります。eetimes.itmedia.co.jpCMOSロジックの基本セル（スタンダードセル）を縮小するために、電源/接地線を基板側に埋め込む技術（BPR技術）の続きです。電源の安定化と、回路ブロックの縮小に寄与することが明らかになっています。詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。Siデバイス・プロセス技術の開発史 (極限追及と実用化)作者:通研半導体技術史( Siデバイス・プロセス編)編集委員会サイバー出版センターAmazon

#半導体製造技術#CMOSロジック#BPR#微細化#スケーリング
Electronics Pick-up by Akira Fukuda•4年前

コラム「デバイス通信」を更新。「CMOSロジックの高密度化を後押しする次世代の電源配線技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第2回となります。eetimes.itmedia.co.jpCMOSロジックの基本セル（スタンダードセル）を縮小する手法の変遷をたどっています。3nm世代以降は、5nm世代まで使われてきたセル高さの低減（金属配線の本数（トラック数）を減らすことで高さを低くする）技術が適用困難になります。そこで3nm世代からは、金属配線の中で電源線と接地線を基板側に埋め込むことで、トラック数を減らすことが考えられています。「BPR」と呼ばれる技術です。詳しくは記事をお読みい…

#半導体製造技術#CMOSロジック#微細化#3nm世代